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行業(yè)資訊

圓晶代工生產(chǎn):三星手機(jī)PK臺(tái)積電,誰的贏面大?


  臺(tái)積電近期多事之秋,于2018年6月進(jìn)行高管交接,也各自在2018年8月產(chǎn)生計(jì)算機(jī)病毒感柒惡性事件,和2019年1月暴發(fā)圓晶品質(zhì)缺陷惡性事件,但多虧30以來,焊錫產(chǎn)品研發(fā)穩(wěn)扎穩(wěn)打,穩(wěn)打穩(wěn)扎,確保優(yōu)秀焊錫一路領(lǐng)先。

  2019年4月24日,三星公司發(fā)布了將來的融資計(jì)劃和總體目標(biāo),方案在將來12年之內(nèi)(2019年至2030年)項(xiàng)目投資約1200億美金提升系統(tǒng)軟件LSI和圓晶代工生產(chǎn)業(yè)務(wù)流程層面的競爭能力;并借助廉價(jià)搶到NVIDIA下代GPU訂單信息,完全力挑臺(tái)積電。 但目前遭受日本國原料禁運(yùn),抹到了一層層黑影。
  文中從發(fā)展史、生產(chǎn)地、優(yōu)秀焊錫、封裝合理布局等層面來整理三星手機(jī)挑戰(zhàn)臺(tái)積電的贏面。
 
  一、發(fā)展史
 
  1、臺(tái)積電
  1987年2月21日創(chuàng)立,臺(tái)積電宣布創(chuàng)立,開辟純圓晶代工生產(chǎn)新方式;1988年企業(yè)營業(yè)額超出臺(tái)幣10億;1991年企業(yè)實(shí)現(xiàn)提高效益臺(tái)幣5億,自此無1年虧本;1993年?duì)I業(yè)額超出臺(tái)幣100億;1994年9月在中國臺(tái)灣發(fā)售,當(dāng)初營業(yè)額達(dá)臺(tái)幣193億(約6億美金);1995年?duì)I業(yè)額超出10億美金;1998年?duì)I業(yè)額超出臺(tái)幣500億;2000年?duì)I業(yè)額初次超出1000億臺(tái)幣(臺(tái)幣1660億);2008年?duì)I業(yè)額超出100億美金(臺(tái)幣3330億);2012年?duì)I業(yè)額初次超出臺(tái)幣5000億;2018年?duì)I業(yè)額初次超出臺(tái)幣10000億。2017年和2018年的市場份額為56%。
  做為技術(shù)專業(yè)集成電路芯片生產(chǎn)制造第三產(chǎn)業(yè)的創(chuàng)始者與管理者,臺(tái)積電潛心為全世界Fabless企業(yè)、IDM企業(yè)和系統(tǒng)集成公司出示圓晶生產(chǎn)制造服務(wù)項(xiàng)目。自開創(chuàng)剛開始,臺(tái)積電即不斷出示顧客最優(yōu)秀的技術(shù)性及臺(tái)積電TSMC COMPATIBLE設(shè)計(jì)構(gòu)思服務(wù)項(xiàng)目,在出示優(yōu)秀的圓晶生產(chǎn)工藝與最好的生產(chǎn)制造高效率上已創(chuàng)建了優(yōu)良的信譽(yù)。
臺(tái)積電在有著優(yōu)秀技術(shù)性后,將其轉(zhuǎn)化成生產(chǎn)制造優(yōu)點(diǎn),主要包括合格率、可信性、按時(shí)供貨性、充裕的生產(chǎn)能力以應(yīng)對(duì)客戶滿意度和生產(chǎn)制造周期時(shí)間等。技術(shù)性與生產(chǎn)制造上的優(yōu)點(diǎn),轉(zhuǎn)化成與顧客的長期性信賴關(guān)聯(lián)。
 
  2、三星公司
 
  2005年,三星公司剛開始進(jìn)到12英尺邏輯性加工工藝圓晶代工生產(chǎn)行業(yè),2017年5月12日,三星公司公布調(diào)節(jié)企業(yè)各個(gè)部門,將圓晶代工生產(chǎn)各個(gè)部門從系統(tǒng)軟件LSI各個(gè)部門中單獨(dú)出去,創(chuàng)立三星公司圓晶代工生產(chǎn),關(guān)鍵承擔(dān)為全世界顧客生產(chǎn)制造非存儲(chǔ)芯片,進(jìn)而與以臺(tái)積電為先的純圓晶代工生產(chǎn)企業(yè)市場競爭。
 
  從2005年到2009年,三星公司的時(shí)代工營業(yè)額不夠4億美金。到2010年啃上iPhone(Appple),剛開始代工生產(chǎn)iPhoneA系列產(chǎn)品Cpu(包含A4、A5、A6、A7),代工生產(chǎn)主營業(yè)務(wù)收入出現(xiàn)爆長,2010年總體代工生產(chǎn)收益猛增至12億美金(在其中      iPhoneA系列產(chǎn)品Cpu商品代工生產(chǎn)收益達(dá)8億美金)。因?yàn)閕Phone等移動(dòng)智能終端商品交貨猛增,三星公司的圓晶代工生產(chǎn)營業(yè)額節(jié)節(jié)攀升,到2013年超過39.5億美金,當(dāng)初iPhone的代工生產(chǎn)收益占據(jù)企業(yè)代工生產(chǎn)全年收入的86%。能夠說2010年至   
   2013年三星公司的代工生產(chǎn)營業(yè)額徹底是靠iPhone在支撐點(diǎn)。
  因?yàn)?0納米技術(shù)加工工藝焊錫合格率沒法攻克等多方面的緣故,2014年三星公司喪失iPhoneA系列產(chǎn)品Cpu訂單信息,iPhoneA8Cpu所有交給臺(tái)積電(TSMC)代工生產(chǎn);2015年總算搶得A9Cpu一部分訂單信息,但因?yàn)楹细衤屎凸β什倏v比不上臺(tái)積電,造成2016年的A10Cpu又所有由臺(tái)積電包圓。因?yàn)閱适Phone這一客戶,造成2014年和2015年圓晶代工生產(chǎn)營業(yè)額出現(xiàn)下降。
以便彌補(bǔ)生產(chǎn)能力,三星公司代工生產(chǎn)單位積極主動(dòng)進(jìn)攻,搶到高通驍龍(Qualcomm)運(yùn)用Cpu和網(wǎng)絡(luò)服務(wù)器集成ic、超微半導(dǎo)體材料(AMD)的微控制器集成ic、英特爾顯卡(Nvidia)的圖像處理集成ic、安霸(Ambarella)的視覺解決集成ic、特斯拉汽車(Tesla)的自駕游系統(tǒng)軟件集成ic的訂單信息,足以填補(bǔ)iPhone逃單的困境。2016年?duì)I業(yè)額超過44億美金,超出2013年的水準(zhǔn),創(chuàng)出三星公司圓晶代工生產(chǎn)營業(yè)額的新記錄。
 
  依據(jù)市場研究公司IC Insights的資料顯示,三星公司2017年圓晶代工生產(chǎn)營業(yè)額達(dá)46億美金,在全世界圓晶代工生產(chǎn)銷售市場以6%的市場占有率排行最后,前三各自是臺(tái)積電(TSMC)的56%,格芯半導(dǎo)體材料(GlobalFoundries)的9%,連電(UMC)的8.5%;2018年圓晶代工生產(chǎn)營業(yè)額達(dá)100億美金,市場占有率達(dá)14%,排行全世界其次。
  2018年三星公司排行全世界其次大圓晶代工生產(chǎn)企業(yè),并不是銷售業(yè)績暴增,實(shí)乃分拆單位造成。緣故是圓晶代工生產(chǎn)單位改名換姓,已不歸屬于系統(tǒng)軟件LSI業(yè)務(wù)流程。因此如今包含Cpu集成ic(Exynos等)、CIS圖像傳感器、顯示驅(qū)動(dòng)集成ic、電源管理芯片的生產(chǎn)制造收益都算為圓晶代工生產(chǎn)單位營業(yè)額,因而營業(yè)額一路上上漲,市場占有率一夕飆高。
 
  二、生產(chǎn)地
 
  1、臺(tái)積電
  現(xiàn)階段在中國臺(tái)灣有著三座12英尺超大型晶圓廠、兩座8英尺晶圓廠和一幢6英尺晶圓廠,在中國內(nèi)地有一幢12英尺晶圓廠和一幢8英尺晶圓廠,在國外有著一幢8英尺晶圓廠。坐落于中國臺(tái)灣的第四座12英尺超大型晶圓廠FAB18的第一期也于2019年圓滿建成投產(chǎn)。
  2018年出示261種不一樣的焊錫技術(shù)性,為481個(gè)顧客生產(chǎn)制造10436種不一樣商品,圓晶銷售量達(dá)1080萬片12英尺約當(dāng)圓晶量。
  2019年,臺(tái)積電預(yù)估出示約1200萬片的12英尺約當(dāng)圓晶的年生產(chǎn)能力,在其中7納米技術(shù)生產(chǎn)能力約100萬片12英尺圓晶。
  3nm加工廠也在方案基本建設(shè)中。
 
  2、三星公司
 
  到2019年末,三星公司圓晶代工生產(chǎn)專享線將升至7條,包含6條12英尺和3條8英尺。
  現(xiàn)階段,三星公司代工生產(chǎn)業(yè)務(wù)流程能夠出示包含65納米技術(shù)、45納米技術(shù)、32/28納米技術(shù)HKMG、14納米技術(shù)FinFET、10納米技術(shù)FinFET、7納米技術(shù)FinFET EUV加工工藝,顧客包含iPhone、高通驍龍、超微半導(dǎo)體材料、賽靈思、英特爾顯卡、恩智浦(NXP)及其日本當(dāng)?shù)仄髽I(yè)Telechips等。
  日本器興(Kiheung)的S1,完工于2005年,是三星手機(jī)第一條12英尺邏輯性代工生產(chǎn)生產(chǎn)流水線,現(xiàn)階段燒錄65納米技術(shù)至8納米技術(shù)功耗集成ic,商品適用于計(jì)算機(jī)網(wǎng)、智能機(jī)、小車、及其日漸成才的物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)銷售市場等。
  英國奧斯?。ˋustin)的S2是由原8英尺廠更新改造而成;2010年8月剛開始凈化室基本建設(shè),2011年4月剛開始12英尺邏輯性商品建成投產(chǎn),當(dāng)初達(dá)產(chǎn)43000片;現(xiàn)階段燒錄65納米技術(shù)至14納米技術(shù)商品。2010年開設(shè)產(chǎn)品研發(fā)管理中心,致力于為系    統(tǒng)軟件LSI單位開發(fā)設(shè)計(jì)性能、功耗、繁雜的CPU和系統(tǒng)軟件IP構(gòu)架和設(shè)計(jì)構(gòu)思。
  日本華城(Hwasung)的S3,是2018年投建的12英尺邏輯性生產(chǎn)流水線,現(xiàn)階段關(guān)鍵生產(chǎn)制造10納米技術(shù)至8納米技術(shù)商品,將是三星手機(jī)7納米技術(shù)商品的主力吸籌生產(chǎn)廠家。
  日本華城的S4,是原DRAM用產(chǎn)線FAB11開展更新改造,現(xiàn)階段CMOS影象控制器(CIS)專用型生產(chǎn)流水線。坐落于華城的12英尺DRAM產(chǎn)線FAB13也已經(jīng)抓緊更新改造為CMOS影象控制器專用型生產(chǎn)流水線。
  日本華城的EUV專用型產(chǎn)線自2018年2月開工建設(shè)至今,已經(jīng)抓緊基本建設(shè)。加工廠將項(xiàng)目投資60億美金,將于2019年第三季度進(jìn)行基本建設(shè)、2020年宣布建成投產(chǎn)。前期以7納米技術(shù)商品主導(dǎo),因時(shí)制宜EUV光刻技術(shù)。
  日本器興的8英尺圓晶代工生產(chǎn)線新FAB6于2016年對(duì)外開放,包含原先的FAB6、FAB7、FAB8等3個(gè)廠,包含從180納米技術(shù)到70納米技術(shù)加工工藝連接點(diǎn),目前生產(chǎn)能力貼近25萬片,焊錫技術(shù)性包含內(nèi)嵌式快閃記憶體(eFlash)、輸出功率元器件、  影象感測器CIS,及其高工作電壓焊錫的生產(chǎn)制造,關(guān)鍵對(duì)于日本當(dāng)?shù)氐腇abless。
 
  三、焊錫
 
  1、臺(tái)積電
 
  自1987年創(chuàng)立至今,臺(tái)積電始終堅(jiān)持不懈“創(chuàng)建內(nèi)部產(chǎn)品研發(fā)”發(fā)展戰(zhàn)略,為企業(yè)產(chǎn)生了更顯的核心競爭力。臺(tái)積電根據(jù)從中國臺(tái)灣工業(yè)生產(chǎn)技術(shù)性研究所遷移3.5μm和2μm技術(shù)性創(chuàng)立企業(yè),一起為東芝訂制了3.0μm技術(shù)性。只是1年以后,臺(tái)積電于1988年取得成功開發(fā)設(shè)計(jì)了自身的1.5μm技術(shù)性。接著開展了一連串不斷的取得成功開發(fā)設(shè)計(jì),包含1.2μm,1.0μm,0.8μm,0.6μm,0.5μm,0.3μm和0.25μm加工工藝。
  1999年,臺(tái)積電公布了全世界第一位0.18μm功耗生產(chǎn)工藝。從那以后,臺(tái)積電推動(dòng)制造行業(yè)持續(xù)變小的圖形界限技術(shù)性,從0.13μm,到90nm、65nm、40nm、28nm、20nm、16/12nm、10nm、7nm,再到2019年的5nm加工工藝。
  2018年臺(tái)積電營業(yè)額超出臺(tái)幣10000億,在其中優(yōu)秀焊錫技術(shù)性(28納米技術(shù)及下列更優(yōu)秀焊錫)的營業(yè)額占總體營業(yè)額的63%,而7納米技術(shù)的的營業(yè)額占總體營業(yè)額也是超出20%,變成首位大營收來源于。
  那麼人們討論一下臺(tái)積電在10納米技術(shù)下列加工工藝的合理布局狀況。
  N7:2017年4月7nm剛開始風(fēng)險(xiǎn)性生產(chǎn)制造,2018年燒錄,第③季剛開始奉獻(xiàn)營業(yè)額,在2018年有40好幾個(gè)顧客商品流片,預(yù)估2019年還將有100好幾個(gè)新品流片。與10nm FinFET加工工藝對(duì)比,7nm FinFET具備1.6倍邏輯性相對(duì)密度,約20%的速率提高和約40%%的功率減少。有2個(gè)加工工藝焊錫能選,一要對(duì)于AP,二是對(duì)于HPC(超高功能計(jì)算運(yùn)用)。
  N7+:2018年8月進(jìn)到風(fēng)險(xiǎn)性生產(chǎn)制造環(huán)節(jié),2019年第③季剛開始燒錄,是臺(tái)積電第一位應(yīng)用EUV光刻解決方法的半導(dǎo)體材料生產(chǎn)工藝。
  N6:為加強(qiáng)7nm技術(shù)性,提高效率/成本費(fèi)優(yōu)點(diǎn)且加快商品發(fā)售時(shí)間,2019年4月發(fā)布的6nm焊錫技術(shù)性,選用EUV光刻解決方法,預(yù)估將在2020年第一季風(fēng)險(xiǎn)性試生產(chǎn),第③季保持燒錄。據(jù)了解N6加工工藝比N7加工工藝出示高于18%的邏輯性相對(duì)密度,設(shè)計(jì)構(gòu)思標(biāo)準(zhǔn)與N7徹底適配,使其全方位的設(shè)計(jì)構(gòu)思生態(tài)體系足以多次重復(fù)使用。
  N5:5nm技術(shù)性于2019年3月進(jìn)到風(fēng)險(xiǎn)性生產(chǎn)制造環(huán)節(jié),預(yù)估2020年第2季拉升生產(chǎn)能力并進(jìn)到燒錄。主力吸籌生產(chǎn)制造加工廠是Fab 18。與7納米技術(shù)焊錫相比,5nm集成ic相對(duì)密度提升80%,在相同與運(yùn)算效率下可減少15%功率,在相同功率下可提高30%與運(yùn)算效率。
  N5P:N5P(5nm+)預(yù)估2020年第一季剛開始試生產(chǎn),2021年進(jìn)到燒錄。與5nm焊錫相比在相同功率下可再提高7%與運(yùn)算效率,或在相同與運(yùn)算效率下可再減少15%功率。
3nm:現(xiàn)階段沒有大量3nm的技術(shù)性信息內(nèi)容,可是3納米技術(shù)加工廠的項(xiàng)目投資案早已公布,方案項(xiàng)目投資超出臺(tái)幣6000億元在新竹合肥廬陽區(qū)修建,預(yù)估2020年開工,2022年末燒錄。
2nm:2019年每下二季公布全面啟動(dòng)2nm加工工藝的產(chǎn)品研發(fā),未來工廠將設(shè)定在坐落于新竹中國南方科技園區(qū)。
 
  2、三星公司
  2005年三星公司進(jìn)到圓晶代工業(yè)生產(chǎn);2006年首例顧客簽訂65納米技術(shù);2009年45納米技術(shù)加工工藝剛開始接單子,同一年11月在半導(dǎo)體材料研究室創(chuàng)立邏輯性加工工藝開發(fā)設(shè)計(jì)精英團(tuán)隊(duì),以加強(qiáng)圓晶代工生產(chǎn)業(yè)務(wù)流程;2010年1月首例發(fā)布32納米技術(shù)HKMG加工工藝;2014年發(fā)布第1代14納米技術(shù)FinFET加工工藝;2016年10月17日,第1代10納米技術(shù)FinFET加工工藝燒錄。
  那麼人們討論一下三星公司在10納米技術(shù)下列加工工藝的合理布局狀況。
  8LPP:8LPP在生產(chǎn)工藝流程變換為EUV(Extreme Ultra Violet)光刻技術(shù)以前,具備較大的核心競爭力。融合三星手機(jī)10nm技術(shù)性的重要生產(chǎn)流程自主創(chuàng)新,與10LPP對(duì)比,8LPP在特性和門電路相對(duì)密度層面出示了附加的優(yōu)點(diǎn)。2018年11月取得成    功燒錄Exynos 9系列產(chǎn)品(9820)。
  7LPP:7LPP將是第一位應(yīng)用EUV光刻解決方法的半導(dǎo)體材料生產(chǎn)工藝。這兒要注重二點(diǎn),一要根據(jù)和ASML的協(xié)作,開發(fā)設(shè)計(jì)出了250W較大的EUV源輸出功率,它是EUV進(jìn)到到很多生產(chǎn)制造中的最關(guān)鍵的里程碑式,EUV光刻技術(shù)的布署將擺脫摩爾定律拓展的阻礙,為單一化的納米技術(shù)半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展趨勢攤平了路面;二是重要IP將于2019年上半年度進(jìn)行產(chǎn)品研發(fā),第三季度將開展建成投產(chǎn)。
  5LPE:5LPE將選用三星手機(jī)與眾不同的智能化放大(Smart Scaling)解決方法,將其列入應(yīng)用場景EUV的7LPP技術(shù)性之中,可保持更大規(guī)模拓展和超功耗優(yōu)點(diǎn)。
 4LPE/LPP:4LPE/LPP是三星公司最后運(yùn)用高寬比成熟期和制造行業(yè)認(rèn)證的FinFET技術(shù)性,融合先前5LPE加工工藝的成熟技術(shù),集成ic總面積更小,特性更高,能夠迅速超過高良率燒錄,也便捷顧客升級(jí)。
  3LPP:3LPP將初次應(yīng)用全新升級(jí)的MBCFETTM(Multi Bridge Channel FET,多中繼安全通道場效應(yīng)晶體管)構(gòu)造,應(yīng)用場景GAAFET(Gate All Around FET,旋轉(zhuǎn)柵極場效應(yīng)晶體管)技術(shù)性。GAAFET必須再次設(shè)計(jì)構(gòu)思三極管最底層構(gòu)造,擺脫當(dāng)    今技術(shù)性的物理學(xué)、特性極限,提高柵極操縱,特性大大的提高。預(yù)估2020年資金投入危害性試生產(chǎn)。
 
  四、封裝合理布局
 
  1、臺(tái)積電
 
  2008年剛開始優(yōu)秀封裝合理布局。最先創(chuàng)立集成化互聯(lián)與封裝技術(shù)性融合單位,2009年剛開始戰(zhàn)略部署三維立體集成電路芯片(3D IC)系統(tǒng)軟件融合服務(wù)平臺(tái)。
  現(xiàn)階段,臺(tái)積電優(yōu)秀封裝技術(shù)性WLSI(Wafer-Level-System-Integration)服務(wù)平臺(tái)包含具有的CoWoS封裝、InFO封裝,及其對(duì)于PM-IC等較中低端集成ic的扇入型圓晶級(jí)封裝(Fan-In WLP),還將于2021年發(fā)布系統(tǒng)軟件級(jí)融合集成ic(SoIC,System-on-integrated-chips)等封裝技術(shù)性,陣容更為整齊、頑強(qiáng)。
  CoWoS于2011年開發(fā)設(shè)計(jì)取得成功,張忠謀在第③季法說大會(huì)上揚(yáng)言,臺(tái)積電要涉足封裝行業(yè)。這一舉動(dòng)震撼人心半導(dǎo)體材料業(yè)內(nèi),非常是封裝業(yè);到2013年燒錄時(shí),只能程控邏輯門櫥窗陳列經(jīng)銷商賽靈思(Xilinx)一間的28納米技術(shù)商品燒錄。前      CoWoS早已得到NVIDIA、AMD、Google、XilinX、海思芯片等高檔HPC集成ic訂單信息。
  InFO技術(shù)性于2016 年11月首次用以iPhone 7的A10Cpu。InFO技術(shù)性取得成功運(yùn)用于追求完美性價(jià)比高的移動(dòng)通信銷售市場,AP商品是其關(guān)鍵顧客。
  SoIC深植于CoWoS與WoW(多晶圓層疊,Wafer-on-Wafer)技術(shù)性,SoIC非常仰仗于CoW(Chip-on-wafer)設(shè)計(jì)構(gòu)思,這針對(duì)集成ic從業(yè)者而言,選用的IP都早已驗(yàn)證過一場,生產(chǎn)制造上能夠更成熟期,合格率還可以提高,還可以導(dǎo)進(jìn)存儲(chǔ)芯片集成ic運(yùn)用。更關(guān)鍵的是,SoIC能對(duì)10納米技術(shù)或下列的焊錫開展圓晶級(jí)的鍵合技術(shù)性,這將有利于臺(tái)積電加強(qiáng)優(yōu)秀加工工藝焊錫的競爭能力。WoW技術(shù)性穿透硅埋孔(TSV,Through-silicon Vias)互聯(lián)聯(lián)接的10μm孔相互觸碰,將雙層邏輯運(yùn)算模塊以立體式方法層疊一起,構(gòu)架出髙速、低延遲時(shí)間互聯(lián)特性。盡管TSV互聯(lián)早已應(yīng)用在DRAM 及3D NAND 等存儲(chǔ)芯片的生產(chǎn)工藝上,可是用在邏輯運(yùn)算模塊的燒錄上,卻還是初次。
 
  2、三星公司
 
  現(xiàn)階段,三星公司已經(jīng)全力以赴促進(jìn)FOPLP(控制面板級(jí)扇出型封裝,F(xiàn)an-Out Panel Level Packaging)技術(shù)性,已燒錄了FOPLP-PoP與I-Cube 2.5D優(yōu)秀封裝技術(shù)性,期待可與臺(tái)積電的InFO、CoWoS封裝伯仲之間。
  I-Cube 2.5D:現(xiàn)階段早已燒錄,能夠保持4路HBM 2顯卡內(nèi)存堆棧。2020年則會(huì)發(fā)布3D SiP系統(tǒng)軟件級(jí)封裝,適用人工智能技術(shù)(AI)、超高功能計(jì)算(HPC)、互聯(lián)網(wǎng)和GFX,三星公司寄期待I-Cube 2.5D能和臺(tái)積電CoWoS封裝焊錫相匹敵。
  FOPLP-PoP:對(duì)于移動(dòng)智能終端用運(yùn)用Cpu,稱為是匹敵臺(tái)積電InFO的封裝焊錫。2018年10月宣布生產(chǎn)制造Galaxy Watch運(yùn)用Cpu(AP)集成ic。但現(xiàn)階段來看,規(guī)模性燒錄還是不成熟期。
 
  五、結(jié)束語
  試煉場上拼爹是不足的,還是得憑整體實(shí)力說話。如同臺(tái)積電(TSMC)憑著頂尖生產(chǎn)工藝(Technology)、貼心服務(wù)(Service)、生產(chǎn)制造工作能力(Manufacture),與顧客(Customers)創(chuàng)建牢靠的合作關(guān)系,平穩(wěn)地造就了強(qiáng)勁有力的成才。

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