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掌握MRAM的最新發(fā)展
PCB設(shè)計(jì)公司的Bill Wong與Everspin總裁兼首席執(zhí)行官Kevin Conley討論了未來的通用存儲(chǔ)器MRAM。
磁阻RAM（MRAM）繼續(xù)取得長足發(fā)展，隨著容量和性能的提高，發(fā)現(xiàn)了更多用途。長期目標(biāo)是建立通用的非易失性存儲(chǔ)器。它擁有不斷發(fā)展的合作伙伴生態(tài)系統(tǒng)，包括主要晶圓廠的支持。
電子設(shè)計(jì)編輯Bill Wong曾與Kevin Conley，總裁兼首席執(zhí)行官EverSpin的技術(shù)，對(duì)MRAM的狀態(tài)以及它作為通用存儲(chǔ)器技術(shù)可行性。
MRAM是更昂貴的持久性內(nèi)存。它提供什么價(jià)值來證明其價(jià)格標(biāo)簽合理？比什么還貴？
Toggle MRAM與其他低密度持久性內(nèi)存技術(shù)相比在價(jià)格上具有競爭力，而STT-MRAM確實(shí)沒有等效技術(shù)可提供相同水平的耐用性，性能和持久性。MRAM結(jié)合了持久性，性能和耐用性的獨(dú)特價(jià)值主張，達(dá)到了任何其他存儲(chǔ)技術(shù)都無法企及的程度，再加上無可挑剔的可靠性和易操作性（字節(jié)可尋址性，無需耗損均衡等）。MRAM簡化了系統(tǒng)架構(gòu)，其中在發(fā)生斷電時(shí)對(duì)數(shù)據(jù)進(jìn)行保護(hù)至關(guān)重要，從而消除了對(duì)電池和超級(jí)電容器等可靠性較低的電力存儲(chǔ)的需求。
通常將STT-MRAM與DRAM進(jìn)行逐位成本比較，并稱其為昂貴，但需要認(rèn)識(shí)到STT-MRAM通常不用于代替DRAM。STT-MRAM的經(jīng)濟(jì)效益是減少了不可靠的電容器或電池的使用，增加了其他存儲(chǔ)技術(shù)（例如，SSD或AFA中的NAND存儲(chǔ)器）的可用物理空間，并有助于在較短的時(shí)間內(nèi)實(shí)現(xiàn)更高性能的產(chǎn)品時(shí)間框架通過更簡單的架構(gòu)。所有這些價(jià)值驅(qū)動(dòng)因素可幫助我們的客戶在其產(chǎn)品中獲得更多價(jià)值，從而抵消了集成我們的MRAM存儲(chǔ)器所產(chǎn)生的任何費(fèi)用。
您提到您已經(jīng)在1-Gb離散STT-MRAM上達(dá)到量產(chǎn)，現(xiàn)在有幾個(gè)生態(tài)系統(tǒng)控制器合作伙伴已簽約啟用該設(shè)備。為什么合作伙伴對(duì)支持1-Gb STT-MRAM感到如此興奮？
更高的密度允許企業(yè)SSD等應(yīng)用程序使用更少的芯片來實(shí)現(xiàn)其系統(tǒng)目標(biāo)。隨著存儲(chǔ)外形尺寸和尺寸的不斷減小，電路板空間和系統(tǒng)冷卻變得越來越關(guān)鍵，從而進(jìn)一步需要更高密度的芯片。 低延遲和高性能的這些目標(biāo)對(duì)于大型數(shù)據(jù)中心操作非常重要，尤其是當(dāng)具有延遲的QLC存儲(chǔ)器（明顯高于當(dāng)前存儲(chǔ)器）開始在領(lǐng)先的存儲(chǔ)應(yīng)用中被更普遍地采用時(shí)。此外，1-Gb設(shè)備的基于DDR4的接口比256-Mb的DDR3更流行，這使得1-Gb在當(dāng)今的體系結(jié)構(gòu)中更具適應(yīng)性。
由于Everspin是離散MRAM的供應(yīng)商，您的競爭對(duì)手在進(jìn)入這一領(lǐng)域做了什么？
一些公司試圖跟著我們生產(chǎn)離散的MRAM存儲(chǔ)器，但是它們?cè)诋a(chǎn)品成熟度和密度上卻明顯落后。當(dāng)今，我們不知道有其他任何公司正在生產(chǎn)分立的MRAM產(chǎn)品。盡管競爭對(duì)手正在營銷他們打算制造的未來技術(shù)，但到目前為止，我們所知道的針對(duì)千兆密度范圍的產(chǎn)品還一無所知。
從歷史上看，越來越多的公司投資于MRAM研究。 一些嘗試沒有成功，努力已經(jīng)停止或縮減，只是為了維持生命，而另一些嘗試則專門轉(zhuǎn)移到了嵌入式MRAM上。
嵌入式MRAM無疑是對(duì)MRAM作為普遍的存儲(chǔ)技術(shù)的驗(yàn)證。誰來負(fù)責(zé)這項(xiàng)工作，Everspin如何幫助嵌入式MRAM市場？
邏輯代工廠需要一種技術(shù)來取代SoC嵌入式NOR閃存作為非易失性代碼存儲(chǔ)，并面臨無法有效擴(kuò)展（成本）和增加功率的SRAM的挑戰(zhàn)。MRAM具有比NOR閃存更易集成的非易失性，并且具有低泄漏的擴(kuò)展路徑，使其成為SRAM的邏輯后繼產(chǎn)品。所有主要代工廠都已與臺(tái)積電，三星，英特爾和GF宣布了MRAM計(jì)劃（TSMC，三星，英特爾，GLOBALFOUNDRIES / GF，UMC），宣布生產(chǎn)準(zhǔn)備就緒或出貨。Everspin與GF達(dá)成了許可協(xié)議并建立了牢固的合作伙伴關(guān)系，并共同幫助開發(fā)了其22納米嵌入式MRAM產(chǎn)品。
STT-MRAM和Toggle的新發(fā)展是什么？
STT-MRAM產(chǎn)品繼續(xù)擴(kuò)大規(guī)模并增加密度。Everspin現(xiàn)在提供1 Gb內(nèi)存，具有10年的數(shù)據(jù)保留能力，具有DDR4兼容接口和類似DRAM的速度。為了響應(yīng)客戶對(duì)更高密度的需求，我們?cè)?span>Toggle上推出了流行的16 Mb產(chǎn)品的32 Mb版本?，F(xiàn)在，客戶在包括汽車在內(nèi)的所有溫度范圍內(nèi)都具有從128 kb到32 Mb的MRAM Toggle選項(xiàng)。STT和Toggle服務(wù)于獨(dú)特的市場，我們將繼續(xù)開發(fā)兩種技術(shù)的產(chǎn)品，以服務(wù)于現(xiàn)有和新客戶。
時(shí)刻掌握通用存儲(chǔ)器的發(fā)展，對(duì)PCB設(shè)計(jì)和電子電路設(shè)計(jì)提供新的思路，更有利于電子行業(yè)的發(fā)展。