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用于功率轉換的新型增強型柵極驅動器


用于功率轉換的新型增強型柵極驅動器

通過消除復雜的柵極控制和電路布局挑戰,簡化了使用寬帶隙GaN功率半導體的設計。 

它集成了兩個具有225mΩRDSon)的對稱650V氮化鎵(GaN)功率晶體管,以及優化的柵極驅動器和電路保護,可簡化高達200W的高效功率轉換應用的設計。

3.3V15V的輸入電壓容差允許通過將封裝直接連接到霍爾效應傳感器或CMOS器件(例如微控制器,DSPFPGA)來控制MasterGaN4

利用GaN晶體管卓越的開關性能所帶來的更高工作頻率,以及提高的效率來降低散熱,設計人員現在可以選擇小型磁性元件和散熱器,以構建更緊湊,更輕便的電源,充電器和適配器。 

MasterGaN4非常適合用于對稱半橋拓撲以及軟開關拓撲,例如有源鉗位反激式和有源鉗位正激式。寬電源電壓范圍為4.75V9.5V,可方便地連接到現有電源軌。內置保護功能進一步簡化了設計,包括:

門驅動器互鎖

低側和高側欠壓鎖定(UVLO

過熱保護

還有一個專用的關斷引腳。

意法半導體還推出了專用的原型板(EVALMASTERGAN4),該板提供了一套完整的功能,可通過單個或互補的驅動信號來驅動MasterGaN4。還提供了一個可調的死區時間發生器。該板可靈活地施加一個單獨的輸入信號或PWM信號,插入一個外部自舉二極管,分離邏輯和柵極驅動器電源軌,以及使用一個低側并聯電阻器來實現峰值電流模式拓撲。

MasterGaN4現在采用9mm x 9mm x 1mm GQFN封裝生產,爬電距離超過2mm,可在高壓應用中安全使用。

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